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光刻技術(shù)-2023年江蘇公務(wù)員考試常識積累
http://www.cqfhp.com/ 2022-08-16 來(lái)源:江蘇公務(wù)員考試網(wǎng)
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光刻技術(shù)是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術(shù)。其主要過(guò)程為:首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應,再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠(前者稱(chēng)正性光刻膠,后者稱(chēng)負性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上;最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉移到基片上。
1.光刻技術(shù)原理
光刻就是把芯片制作所需要的線(xiàn)路與功能區做出來(lái)。利用光刻機發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì )發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線(xiàn)路圖的作用。這就是光刻的作用,類(lèi)似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上,而光刻刻的不是照片,而是電路圖和其他電子元件。
光刻技術(shù)是一種精密的微細加工技術(shù)。常規光刻技術(shù)是采用波長(cháng)為2000~4500埃的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗光刻技術(shù)蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實(shí)現圖形的變換、轉移和處理,最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。
2.光刻技術(shù)的特點(diǎn)
光刻技術(shù)特點(diǎn)是:采用像面分割原理,以覆蓋最大芯片面積的單次曝光區作為最小成像單元,從而為獲得高分辨率的光學(xué)系統創(chuàng )造條件。
3.光刻技術(shù)的應用
常規光刻技術(shù)是采用波長(cháng)為2000~4500埃的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實(shí)現圖形的變換、轉移和處理,最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。在廣義上,它包括光復印和刻蝕工藝兩個(gè)主要方面。
1)光復印工藝:經(jīng)曝光系統將預制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置,精確傳遞到預涂在晶片表面或介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上。
2)刻蝕工藝:利用化學(xué)或物理方法,將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去,從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的,因而光刻工藝總是多次反復進(jìn)行。例如,大規模集成電路要經(jīng)過(guò)約10次光刻才能完成各層圖形的全部傳遞。
在狹義上,光刻工藝僅指光復印工藝。
刷題鞏固
【例題】傳統的光刻技術(shù)中,鏡頭與光刻膠之間的介質(zhì)是空氣,而浸入式技術(shù)是將空氣介質(zhì)換成液體,得到合適波長(cháng)的光,以提高成像分辨率,以下說(shuō)法錯誤的是:
A. 液體局部溫度起伏會(huì )引起成像質(zhì)量惡化
B. 為了減少液體對光線(xiàn)的吸收,液層厚度不能太大
C. 以純水為介質(zhì)時(shí),可以選取任意波長(cháng)紫外光為光源
D. 可以注入高折射率的液體以得到更高頻率的光,提高成像分辨率
答案:C
【解析】第一步,本題考查科技常識并選錯誤項。
第二步,水作溶劑時(shí),最低波長(cháng)極限是210nm,所以一般吸收都在遠紫外區,因此以純水為介質(zhì)時(shí),不能夠選取任意波長(cháng)紫外光為光源。C項錯誤,本題為選非題。C項符合題意。
因此,選擇C選項。

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